Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами

за авторством Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано 2010

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом

за авторством Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано 2006

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора

за авторством Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано 2006

Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода...

за авторством Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано 2005

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi

за авторством Ёдгорова, Д.М., Якубов, Э.Н.
Опубліковано 2005

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металло­полу­проводниковыми переходами...

за авторством Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В.
Опубліковано 2005

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах

за авторством Ёдгорова, Д.М., Ашрапов, Ф.М.
Опубліковано 2006

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью

за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А.
Опубліковано 2009

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания

за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Якубов, Э.Н.
Опубліковано 2009

Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры

за авторством Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Каримов, А.А.
Опубліковано 2013

Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре

за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А.
Опубліковано 2014

Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах

за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А.
Опубліковано 2015

Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи

за авторством Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Камонов, Б.М., Якубов, Э.Н.
Опубліковано 2009

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта

за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Саидова, Р.А., Гиясова, Ф.А.
Опубліковано 2008

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры...

за авторством Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Гиясова, Ф.А., Саидова, Р.А.
Опубліковано 2008

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре

за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Болтаева, Ш.Ш., Зоирова, Л.Х.
Опубліковано 2006

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода

за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Юлдашев, Ш.Ш., Болтаева, Ш.Ш.
Опубліковано 2006

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵

за авторством Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Гиясова, Ф.А., Саидова, Р.А.
Опубліковано 2007

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания...

за авторством Абдулхаев, О.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Кулиев, Ш.М.
Опубліковано 2015

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры

за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Каримов, А.А., Асанова, Г.О.
Опубліковано 2011