Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si

von Бончик, А.Ю., Ижнин, И.И., Кияк, С.Г., Савицкий, Г.В.
Veröffentlicht 2005

Влияние высокодозового облучения ионами N⁺ на кристаллическую структуру Y₂,₉₅La₀,₀₅Fe₅O₁₂

von Фодчук, И.М., Гуцуляк, И.И., Заплитный, Р.А., Яремий, И.П., Бончик, А.Ю., Сыворотка, И.И.
Veröffentlicht 2013

Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”

von Савицкий, Г.В., Бончик, А.Ю., Ижнин, И.И., Кияк, С.Г., Могиляк, И.А., Тростинский, И.П.
Veröffentlicht 2002