Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si за авторством Бончик, А.Ю., Ижнин, И.И., Кияк, С.Г., Савицкий, Г.В.

Отримати повний текст

Влияние высокодозового облучения ионами N⁺ на кристаллическую структуру Y₂,₉₅La₀,₀₅Fe₅O₁₂ за авторством Фодчук, И.М., Гуцуляк, И.И., Заплитный, Р.А., Яремий, И.П., Бончик, А.Ю., Сыворотка, И.И.

Отримати повний текст

Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс” за авторством Савицкий, Г.В., Бончик, А.Ю., Ижнин, И.И., Кияк, С.Г., Могиляк, И.А., Тростинский, И.П.

Отримати повний текст