Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si

за авторством Бончик, А.Ю., Ижнин, И.И., Кияк, С.Г., Савицкий, Г.В.
Опубліковано 2005

Влияние высокодозового облучения ионами N⁺ на кристаллическую структуру Y₂,₉₅La₀,₀₅Fe₅O₁₂

за авторством Фодчук, И.М., Гуцуляк, И.И., Заплитный, Р.А., Яремий, И.П., Бончик, А.Ю., Сыворотка, И.И.
Опубліковано 2013

Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”

за авторством Савицкий, Г.В., Бончик, А.Ю., Ижнин, И.И., Кияк, С.Г., Могиляк, И.А., Тростинский, И.П.
Опубліковано 2002