Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей... за авторством Вакив, Н.М.

Отримати повний текст

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП... за авторством Вакив, Н.М.

Отримати повний текст

Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников... за авторством Вакив, Н.М.

Отримати повний текст

Исследование объемных акустических волн СВЧ-диапазона, возбужденных встречо-штыревым преобразователем... за авторством Решотка, А.Г., Гайдучок, В.Г., Вакив, Н.М.

Отримати повний текст

Получение высокоомных тонкопленочных конденсатов методом ионно-плазменного распыления за авторством Вакив, Н.М., Погорилко, Я.Р., Шпотюк, О.И.

Отримати повний текст

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 2. Мономолекулярная модель кинетики... за авторством Балицкая, В.А., Вакив, Н.М., Шпотюк, О.И.

Отримати повний текст

Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС за авторством Балицкая, В.А., Вакив, Н.М., Шпотюк, О.И.

Отримати повний текст

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 1. Математические модели кинетики... за авторством Вакив, Н.М., Балицкая, В.А., Шпотюк, О.И., Буткевич, Б.

Отримати повний текст

Применение бессвинцового стекла в толстопленочных терморезистивных материалах за авторством Вакив, Н.М., Гадзаман, И.В., Мруз, О.Я., Немеш, В.Г.

Отримати повний текст

Условия использования стеклообразных халькогенидных сплавов в дозиметрии высокоэнергетичных γ-квантов... за авторством Вакив, Н.М., Головчак, Р.Я., Ковальский, А.П., Шпотюк О.И.

Отримати повний текст

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ за авторством Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Тимчишин, В.Р., Васькив, А.П.

Отримати повний текст

Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi за авторством Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Завербный, И.Р., Мрыхин, И.А.

Отримати повний текст

Деградация керамических терморезисторов в режиме импульсных токовых нагрузок за авторством Вакив, Н.М., Мацяк, Ю., Мруз, О.Я., Погожельска, Ю., Шпотюк, О.И.

Отримати повний текст

Использование позитронной аннигиляционной спектроскопии для контроля процессов влагопоглощения в нанопористой керамике MgAl₂O₄... за авторством Клым, Г.И., Инграм, А., Гадзаман, И.В., Шпотюк, О.И., Вакив, Н.М.

Отримати повний текст

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна за авторством Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Заячук, Д.М., Михащук, Ю.С, Круковский, Р.С.

Отримати повний текст

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 4. Особенности экспоненциальной кинетики... за авторством Балицкая, В.А., Брунец, И.М., Вакив, Н.М., Клым, Г.И., Шпотюк, О.И.

Отримати повний текст

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs за авторством Вакив, Н.М., Завербный, И.Р., Заячук, Д.М., Круковский, С.И., Мрыхин, И.О.

Отримати повний текст

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ... за авторством Ижнин, И.И., Вакив, Н.М., Ижнин, А.И., Сыворотка, И.М., Убизский, С.Б.

Отримати повний текст

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии... за авторством Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Ларкин, С.Ю., Авксентьев, А.Ю., Круковский, Р.С.

Отримати повний текст

Микрочиповые лазеры за авторством Матковский, А.О., Сыворотка, И.М., Убизский, С.Б., Мельник, С.C., Вакив, Н.М., Ижнин, И.И.

Отримати повний текст