Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии

за авторством Красовицкий, Вит.Б., Комник, Ю.Ф., Миронов, М., Волл, Т.Е.
Опубліковано 2000

Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния

за авторством Красовицкий, Вит.Б., Макаровский, О.Н., Миронов, О.А., Волл, Т., Мэтью, Н.
Опубліковано 1995

Особенности электронных свойств δ<Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии. IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты...

за авторством Красовицкий, Вит.Б., Комник, Ю.Ф., Миронов, О.А., Эмелеус, Ч.Дж., Волл, Т.Э.
Опубліковано 1998

Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах...

за авторством Беркутов, И.Б., Комник, Ю.Ф., Миронов, О.А., Волл, Т.Е., Андриевский, В.В.
Опубліковано 2000

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах

за авторством Комник, Ю.Ф., Андриевский, В.В., Беркутов, И.Б., Крячко, С.С., Миронов, М., Волл, Т.E.
Опубліковано 2000

Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈...

за авторством Андриевский, В.В., Рожещенко, А.Ю., Комник, Ю.Ф., Миронов, М., Миронов, О.А., Волл, Т.Е.
Опубліковано 2003

Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия...

за авторством Каширин, В.Ю., Комник, Ю.Ф., Миронов, О.А., Макаровский, О.Н., Эмелеус, Ч.Дж., Волл, Т.Э.
Опубліковано 1996

Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация...

за авторством Каширин, В.Ю., Комник, Ю.Ф., Анопченко, А.С., Миронов, О.А., Эмелеус, Ч.Дж., Волл, Т.Э.
Опубліковано 1997