Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів... von Гайдар, Г.П.

Volltext

До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 von Гайдар, Г.П.

Volltext

Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки... von Гайдар, Г.П.

Volltext

До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках von Гайдар, Г.П.

Volltext

Епітаксійне вирощування нанооб'єктів і умови прояву ефекту самоорганізації von Гайдар, Г.П.

Volltext

Деформаційні ефекти у кристалах германію діркової провідності von Гайдар, Г.П.

Volltext

Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію... von Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Volltext

Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук... von Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Volltext

Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин... von Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Volltext

Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках... von Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Volltext

Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації... von Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Volltext

Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge von Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Volltext

Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію von Гайдар, Г.П., Баранський, П.І.

Volltext

Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si... von Гайдар, Г.П., Баранський, П.І.

Volltext

Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів von Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Volltext

Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії von Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Volltext

Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках von Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Volltext

Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si... von Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Volltext

Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n–Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації... von Гайдар, Г.П., Баранський, П.І.

Volltext

Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій von Гайдар, Г.П., Пінковська, М.Б., Старчик, М.І.

Volltext