Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів... за авторством Гайдар, Г.П.

Отримати повний текст

До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 за авторством Гайдар, Г.П.

Отримати повний текст

Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки... за авторством Гайдар, Г.П.

Отримати повний текст

До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках за авторством Гайдар, Г.П.

Отримати повний текст

Епітаксійне вирощування нанооб'єктів і умови прояву ефекту самоорганізації за авторством Гайдар, Г.П.

Отримати повний текст

Деформаційні ефекти у кристалах германію діркової провідності за авторством Гайдар, Г.П.

Отримати повний текст

Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію... за авторством Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Отримати повний текст

Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук... за авторством Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Отримати повний текст

Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин... за авторством Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Отримати повний текст

Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках... за авторством Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Отримати повний текст

Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації... за авторством Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Отримати повний текст

Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge за авторством Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Отримати повний текст

Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію за авторством Гайдар, Г.П., Баранський, П.І.

Отримати повний текст

Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si... за авторством Гайдар, Г.П., Баранський, П.І.

Отримати повний текст

Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів за авторством Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Отримати повний текст

Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії за авторством Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Отримати повний текст

Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках за авторством Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Отримати повний текст

Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si... за авторством Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.

Отримати повний текст

Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n–Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації... за авторством Гайдар, Г.П., Баранський, П.І.

Отримати повний текст

Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій за авторством Гайдар, Г.П., Пінковська, М.Б., Старчик, М.І.

Отримати повний текст