Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника

за авторством Гулямов, Г., Шарибаев, Н.Ю.
Опубліковано 2011

Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний...

за авторством Гулямов, Г., Шарибаев, Н.Ю.
Опубліковано 2012

Температурная зависимость плотности поверхностных состояний, определенная с помощью нестационарной емкостной спектроскопии...

за авторством Гулямов, Г., Шарибаев, Н.Ю.
Опубліковано 2010

Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках...

за авторством Гулямов, Г., Дадамирзаев, М.Г.
Опубліковано 2014

Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны

за авторством Гулямов, Г., Шарибаев, Н.Ю., Эркабоев, У.И.
Опубліковано 2012

Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey...

за авторством Гулямов, Г., Шарибаев, Н.Ю., Эркабоев, У.И.
Опубліковано 2013

Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках

за авторством Гулямов, Г., Гулямов, A.Г., Мажидова, Г.Н.
Опубліковано 2013

Температурная зависимость плотности энергетических состояний в сильном квантующем магнитном поле...

за авторством Гулямов, Г., Шарибаев, Н.Ю., Эркабоев, У.И.
Опубліковано 2014

Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃

за авторством Шамирзаев, C.Х., Гулямов, Г., Дадамирзаев, М.Г., Шарибаев, Н.Ю., Гулямов, А.Г.
Опубліковано 2011