Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия

за авторством Иващук, А.В.
Опубліковано 2000

Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника

за авторством Иващук, А.В., Кохан В.П.
Опубліковано 2000

О необходимых условиях сходимости рядов Фурье

за авторством Задерей, П.В., Иващук, А.В.
Опубліковано 2011

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях

за авторством Москалюк, В.А., Тимофеев, В.И., Иващук, А.В.
Опубліковано 2003

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн

за авторством Иващук, А.В., Босый, В.И., Ковальчук, В.Н.
Опубліковано 2003

Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников

за авторством Босый, В.И., Иващук, А.В., Ковальчук, В.Н., Семашко, Е.М.
Опубліковано 2003