Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия за авторством Иващук, А.В.

Отримати повний текст

О необходимых условиях сходимости рядов Фурье за авторством Задерей, П.В., Иващук, А.В.

Отримати повний текст

Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника за авторством Иващук, А.В., Кохан В.П.

Отримати повний текст

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях за авторством Москалюк, В.А., Тимофеев, В.И., Иващук, А.В.

Отримати повний текст

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн за авторством Иващук, А.В., Босый, В.И., Ковальчук, В.Н.

Отримати повний текст

Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников за авторством Босый, В.И., Иващук, А.В., Ковальчук, В.Н., Семашко, Е.М.

Отримати повний текст