Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия

von Иващук, А.В.
Veröffentlicht 2000

Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника

von Иващук, А.В., Кохан В.П.
Veröffentlicht 2000

О необходимых условиях сходимости рядов Фурье

von Задерей, П.В., Иващук, А.В.
Veröffentlicht 2011

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях

von Москалюк, В.А., Тимофеев, В.И., Иващук, А.В.
Veröffentlicht 2003

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн

von Иващук, А.В., Босый, В.И., Ковальчук, В.Н.
Veröffentlicht 2003

Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников

von Босый, В.И., Иващук, А.В., Ковальчук, В.Н., Семашко, Е.М.
Veröffentlicht 2003