Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения...

von Ковалюк, З.Д., Катеринчук, В.Н.
Veröffentlicht 2004

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe

von Катеринчук, В.Н., Ковалюк, З.Д., Хомяк, В.В.
Veröffentlicht 2010

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"

von Ковалюк, З.Д., Катеринчук, В.Н., Сидор, О.Н.
Veröffentlicht 2005

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂

von Катеринчук, В.Н., Ковалюк, М.З., Литвин, О.С.
Veröffentlicht 2007

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур

von Ковалюк, З.Д., Катеринчук, В.Н., Политанская, О.А., Сидор, О.Н.
Veröffentlicht 2005

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена

von Ковалюк, З.Д., Катеринчук, В.Н., Нетяга, В.В., Заслонкин, А.В.
Veröffentlicht 2007

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe

von Ковалюк, З.Д., Катеринчук, В.Н., Кудринский, З.Р., Кушнир, Б.В., Нетяга, В.В., Хомяк, В.В.
Veröffentlicht 2015