Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe

за авторством Квон, З.Д., Ольшанецкий, Е.Б., Михайлов, Н.Н., Козлов, Д.А.
Опубліковано 2009

Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe

за авторством Козлов, Д.А., Квон, З.Д., Савченко, М.Л., Weiss, D., Михайлов, Н.Н., Дворецкий, С.А.
Опубліковано 2015

Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe

за авторством Квон, З.Д., Ольшанецкий, Е.Б., Козлов, Д.А., Новик, Е.Г., Михайлов, Н.Н., Дворецкий, С.А.
Опубліковано 2011

Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe

за авторством Козлов, Д.А., Bauer, D., Ziegler, J., Fischer, R., Савченко, М.Л., Квон, З.Д., Михайлов, Н.Н., Дворецкий, С.А., Weiss, D.
Опубліковано 2017