Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна

за авторством Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Заячук, Д.М., Михащук, Ю.С, Круковский, Р.С.
Опубліковано 2010

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии...

за авторством Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Ларкин, С.Ю., Авксентьев, А.Ю., Круковский, Р.С.
Опубліковано 2014

Модуль солнечных батарей на основе соединений А₃В₅ с концентраторами солнечной энергии и системой теплоотвода...

за авторством Вакив, М.М., Круковский, С.И., Николаенко, Ю.Е., Круковский, Р.С., Тимчишин, В.Р., Сыворотка, Н.Я.
Опубліковано 2010

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии

за авторством Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Сукач, А.В., Тетёркин, В.В., Мрыхин, И.А., Михащук, Ю.С., Круковский, Р.С.
Опубліковано 2012