Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів

за авторством Круковський, С.І., Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Мрихін, І.О., Михащук, Ю.С.
Опубліковано 2011

Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs

за авторством Сизов, Ф.Ф., Гришин, Ю.Г., Круковський, С.І., Опилат, В.Я., Петренко, І.В., Савкіна, Р.К., Смірнов, О.Б., Тартачник, В.П.
Опубліковано 2009