Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" von Косяченко, Л.А., Марков, А.В., Остапов, С.Э., Раренко, И.М.

Volltext

Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников von Косяченко, Л.А., Раренко, И.М., Марков, А.В., Остапов, С.Э.

Volltext

Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe von Боднарук, О.А., Громко, Е.Д., Марков, А.В., Остапов, С.Э., Раренко, И.М., Швец, А.Г.

Volltext