Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"

by Косяченко, Л.А., Марков, А.В., Остапов, С.Э., Раренко, И.М.
Published 2002

Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников

by Косяченко, Л.А., Раренко, И.М., Марков, А.В., Остапов, С.Э.
Published 2001

Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe

by Боднарук, О.А., Громко, Е.Д., Марков, А.В., Остапов, С.Э., Раренко, И.М., Швец, А.Г.
Published 2004