Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода...

за авторством Сапаев, И.Б., Мирсагатов, Ш.А.
Опубліковано 2014

Температурная зависимость обратной ветви ВАХ Al-p-CdTe-Mo структуры

за авторством Ачилов, А.С., Мирсагатов, Ш.А.
Опубліковано 2015

Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника

за авторством Мирсагатов, Ш.А., Атабоев, О.К., Заверюхин, Б.Н.
Опубліковано 2013

Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки

за авторством Мирсагатов, Ш.А., Ачилов, А.С., Заверюхин, Б.Н.
Опубліковано 2013

Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe

за авторством Мирсагатов, Ш.А., Ачилов, А.С., Заверюхин, Б.Н.
Опубліковано 2014

Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS...

за авторством Сапаев, И.Б., Мирсагатов, Ш.А., Сапаев, Б., Кабулов, Р.Р.
Опубліковано 2015

Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо

за авторством Мирсагатов, Ш.А., Музафарова, С.А., Ачилов, А.С., Мовлонов, А.А.
Опубліковано 2012