Показ
1 - 1
результатів із
1
Перейти до змісту
Логін
Мова
English
Deutsch
Українська
Харвестер відкритої науки НАН України
Всі поля
Назва
Назва журналу
Автор
Предмет
Опис
Тег
Full text
Знайти
Розширений
Автор
Повч, Р.М.
Результати пошуку - Повч, Р.М.
Показ
1 - 1
результатів із
1
Уточнити результати
Сортувати
Релевантність
Дата у спадаючому порядку
Дата у зростаючому порядку
Шифр
Автор
Назва
Е-пошта
Експорт
Друк
bulk_save_button
select_all_on_page
Вибрати результат під номером 1
1
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
за авторством
Кондрат, А.Б.
,
Довгошей, Н.И.
,
Поляк, Я.М.
,
Сидор, Ю.Й.
,
Повч, Р.М.
Опубліковано в:
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
(2001)
Отримати повний текст
Стаття
standalone_record_link
Додати у Вибране
Збережено в:
Е-пошта
Експорт
Друк
bulk_save_button
select_all_on_page
Інструменти для пошуку:
Отримати RSS-стрічку
Відправити пошук е-поштою
Пов'язані теми
Функциональная микроэлектроника