InAs фотодіоди (огляд) за авторством Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Матіюк, І.М.

Отримати повний текст

InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) за авторством Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Матіюк, І.М., Ткачук, А.І.

Отримати повний текст

InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) за авторством Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Матіюк, І.М., Ткачук, А.І.

Отримати повний текст

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів за авторством Круковський, С.І., Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Мрихін, І.О., Михащук, Ю.С.

Отримати повний текст

Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP за авторством Круковський, C.I., Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Мрихін, І.О., Михащук, Ю.С.

Отримати повний текст

Електричні властивості структур In/p-PbTe за авторством Маланич, Г.П., Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Ворощенко, А.Т., Кравецький, М.Ю., Павлович, І.І.

Отримати повний текст

Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe за авторством Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Ткачук, А.І., Ворощенко, А.Т., Кравецький, М.Ю., Луцишин, І.Г.

Отримати повний текст

Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів за авторством Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Мазарчук, І.О., Кролевець, М.М., Лук’яненко, В.І., Луцишин, І.Г.

Отримати повний текст

Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах за авторством Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Ворощенко, А.Т., Кравецький, М.Ю., Лук’яненко, В.І., Луцишин, І.Г.

Отримати повний текст

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si за авторством Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Іващенко, В.І., Порада, О.К., Козак, А.О., Ткачук, А.І., Ворощенко, А.Т.

Отримати повний текст

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии за авторством Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Сукач, А.В., Тетёркин, В.В., Мрыхин, И.А., Михащук, Ю.С., Круковский, Р.С.

Отримати повний текст