InAs фотодіоди (огляд) von Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Матіюк, І.М.

Volltext

InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) von Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Матіюк, І.М., Ткачук, А.І.

Volltext

InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) von Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Матіюк, І.М., Ткачук, А.І.

Volltext

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів von Круковський, С.І., Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Мрихін, І.О., Михащук, Ю.С.

Volltext

Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP von Круковський, C.I., Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Мрихін, І.О., Михащук, Ю.С.

Volltext

Електричні властивості структур In/p-PbTe von Маланич, Г.П., Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Ворощенко, А.Т., Кравецький, М.Ю., Павлович, І.І.

Volltext

Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe von Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Ткачук, А.І., Ворощенко, А.Т., Кравецький, М.Ю., Луцишин, І.Г.

Volltext

Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів von Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Мазарчук, І.О., Кролевець, М.М., Лук’яненко, В.І., Луцишин, І.Г.

Volltext

Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах von Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Ворощенко, А.Т., Кравецький, М.Ю., Лук’яненко, В.І., Луцишин, І.Г.

Volltext

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si von Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Іващенко, В.І., Порада, О.К., Козак, А.О., Ткачук, А.І., Ворощенко, А.Т.

Volltext

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии von Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Сукач, А.В., Тетёркин, В.В., Мрыхин, И.А., Михащук, Ю.С., Круковский, Р.С.

Volltext