Спектр уровней Ландау двойной квантовой ямы в наклонном магнитном поле

за авторством Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В.
Опубліковано 2009

Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла...

за авторством Арапов, Ю.Г., Карсканов, И.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В.
Опубліковано 2009

Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix...

за авторством Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Карсканов, И.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Ше, Н.Г
Опубліковано 2007

Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки...

за авторством Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Клепикова, А.С., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В.
Опубліковано 2015

Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик...

за авторством Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В., Кузнецов, О.А., Пономаренко, Л., де Виссер, А.
Опубліковано 2004

Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла...

за авторством Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Неверов, В.Н., Новокшонов, С.Г., Клепикова, А.С., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В.
Опубліковано 2013

Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях

за авторством Якунин, М.В., Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Подгорных, С.М., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г, Звонков, Б.Н., Ускова, Е.А.
Опубліковано 2007

Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия...

за авторством Клепикова, А.С., Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В., Звонков, Б.Н.
Опубліковано 2017

Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов...

за авторством Якунин, М.В., Альшанский, Г.А., Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Кузнецов, О.А., де Виссер, А., Пономаренко, Л.
Опубліковано 2004

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами

за авторством Арапов, Ю.Г., Якунин, М.В., Гудина, С.В., Карсканов, И.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Подгорных, С.М., Звонков, Б.Н., Ускова, Е.А.
Опубліковано 2007