Спектр уровней Ландау двойной квантовой ямы в наклонном магнитном поле за авторством Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В.

Отримати повний текст

Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла... за авторством Арапов, Ю.Г., Карсканов, И.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В.

Отримати повний текст

Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix... за авторством Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Карсканов, И.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Ше, Н.Г

Отримати повний текст

Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки... за авторством Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Клепикова, А.С., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В.

Отримати повний текст

Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик... за авторством Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В., Кузнецов, О.А., Пономаренко, Л., де Виссер, А.

Отримати повний текст

Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла... за авторством Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Неверов, В.Н., Новокшонов, С.Г., Клепикова, А.С., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В.

Отримати повний текст

Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях за авторством Якунин, М.В., Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Подгорных, С.М., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г, Звонков, Б.Н., Ускова, Е.А.

Отримати повний текст

Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия... за авторством Клепикова, А.С., Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В., Звонков, Б.Н.

Отримати повний текст

Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов... за авторством Якунин, М.В., Альшанский, Г.А., Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Кузнецов, О.А., де Виссер, А., Пономаренко, Л.

Отримати повний текст

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами за авторством Арапов, Ю.Г., Якунин, М.В., Гудина, С.В., Карсканов, И.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Подгорных, С.М., Звонков, Б.Н., Ускова, Е.А.

Отримати повний текст