Харвестер відкритої науки НАН України

The effect of doping methods on electrical properties and micromorphology of polysilicon gate electrode in submicron CMOS devices

за авторством Ahmad, I., Omar, A., Mikdad, A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

Optimal solution in producing 32-nm CMOS technology transistor with desired leakage current

за авторством Elgomati, H.A., Ahmad, I., Salehuddin, F., Hamid, F.A., Zaharim, A., Majlis, B.Y., Apte, P.R.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)