Результати пошуку - Altukhov, A. A.
- Показ 1 - 5 результатів із 5
-
1
"Электронный нос" на основе матрицы элементарных полупроводниковых резистивных сенсоров за авторством Altukhov, A. A., Mityagin, A. Yu., Shustrov, A. V.
Опубліковано 2007Отримати повний текст
Стаття -
2
Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона за авторством Altukhov, A. A., Mityagin, A. Yu., Klochkova, A. M., Orlova, G. A.
Опубліковано 2008Отримати повний текст
Стаття -
3
Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона за авторством Altukhov, A. A., Mityagin, A. Yu., Gorokhov, E. V., Feshchenko, V. S., Talipov, N. Kh.
Опубліковано 2007Отримати повний текст
Стаття -
4
Модель алмазного транзистора за авторством Altukhov, A. A., Zyabluk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V.
Опубліковано 2011Отримати повний текст
Стаття -
5
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза за авторством Altukhov, A. A., Afanas’ev, M. S., Zyabliuk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V.
Опубліковано 2011Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
diamond
алмаз
Schottky barriers
chemical sensors
electronic nose
field-effect diamond RF-transistor
fluent shutter model
gain of the transistor
hydrogenation
maximum power of transistor
microwave transistors
multielement
natural type IIa diamond
photodetecting device
photodiode
photoresistor
semiconductor resistive sensors
sensor matrix
ultra-violet
ultraviolet photodetectors
volt-ampere characteristic
СВЧ-транзисторы
барьеры Шоттки
вольт-амперная характеристика
гидрогенизация
коэффициенты усиления транзистора
максимальная мощность транзистора
матрица сенсоров
многоэлементный
модель плавного затвора