Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon за авторством Misiuk, A., Barcz, A., Ulyashin, A., Antonova, I.V., Prujszczyk, M.

Отримати повний текст

Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing за авторством Datsenko, L.I., Auleytner, J., Misiuk, A., Klad'ko, V.P., Machulin, V.F., Bak-Misiuk, J., Zymierska, D., Antonova, I.V., Melnyk, V.M., Popov, V.P., Czosnyka, T., Choinski, J.

Отримати повний текст