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Харвестер відкритої науки НАН України
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B. Sapaev
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1
Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
von
I. B. Sapaev
,
B. Sapaev
,
D. B. Babajanov
Veröffentlicht 2019
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2
Investigation of electrical and photovoltaic properties In-CdSxTe1-x-Si-In structure
von
I. B. Sapaev
Veröffentlicht 2013
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3
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
von
I. B. Sapaev
Veröffentlicht 2013
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4
Mechanism of photocurrent amplification in injection photodiodes based on a photosensitive polycrystalline CdS film
von
I. B. Sapaev
,
Sh. A. Mirsagatov
,
B. Sapaev
,
R. R. Kabulov
Veröffentlicht 2015
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5
Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction
von
I. B. Sapaev
,
Sh. A. Mirsagatov
Veröffentlicht 2014
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