Результати пошуку - Baganov, Ye.
- Показ 1 - 5 результатів із 5
-
1
Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system за авторством Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)Отримати повний текст
Стаття -
2
Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase за авторством Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)Отримати повний текст
Стаття -
3
Crystallization mechanism control during epitaxy from solution-melt за авторством Baganov, Ye.O., Shutov, S.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2006)Отримати повний текст
Стаття -
4
Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy за авторством Tsybulenko, V., Baganov, Ye., Krasnov, V., Shutov, S.
Опубліковано в: Functional Materials (2008)Отримати повний текст
Стаття -
5
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb за авторством Andronova, E. V., Baganov, Ye. A., Kurak, V. V.
Опубліковано 2011Отримати повний текст
Стаття