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  1. 1
    Crystallization mechanism control during epitaxy from solution-melt
    von Baganov, Ye.O., Shutov, S.V.
    Veröffentlicht in Functional Materials (2006)
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  2. 2
    Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
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  3. 3
    Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
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  4. 4
    Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy
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  5. 5
    Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
    von Andronova, E. V., Baganov, Ye. A., Kurak, V. V.
    Veröffentlicht 2011
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