Харвестер відкритої науки НАН України

Crystallization mechanism control during epitaxy from solution-melt

за авторством Baganov, Ye.O., Shutov, S.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2006)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system

за авторством Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase

за авторством Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy

за авторством Tsybulenko, V., Baganov, Ye., Krasnov, V., Shutov, S.
Опубліковано в: Functional Materials (2008)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb

за авторством Andronova, E. V., Baganov, Ye. A., Kurak, V. V.
Опубліковано 2011