Defects in high temperature and high pressure processed Si:N revealed by deuterium plasma treatment за авторством Misiuk, A., Barcz, A., Ulyashin, A., Prujszczyk, M., Bak-Misiuk, J., Formanek, P.

Отримати повний текст

Defect structure of Czochralski silicon co-implanted with helium and hydrogen and treated at high temperature - pressure за авторством Wierzchowski, W., Misiuk, A., Wieteska, K., Bak-Misiuk, J., Jung, W., Shalimov, A., Graeff, W., Prujszczyk, M.

Отримати повний текст

Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure за авторством Bak-Misiuk, J., Romanowski, P., Domagala, J., Misiuk, A., Dynowska, E., Lusakowska, E., Barcz, A., Sadowski, J., Caliebe, W.

Отримати повний текст

Pressure-induced structural transformations in Si:V and Si:V, Mn за авторством Misiuk, A., Barcz, A., Chow, L., Bak-Misiuk, J., Romanowski, P., Shalimov, A., Wnuk, A., Surma, B., Vanfleet, R., Prujszczyk, M.

Отримати повний текст

Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing за авторством Datsenko, L.I., Auleytner, J., Misiuk, A., Klad'ko, V.P., Machulin, V.F., Bak-Misiuk, J., Zymierska, D., Antonova, I.V., Melnyk, V.M., Popov, V.P., Czosnyka, T., Choinski, J.

Отримати повний текст