Результати пошуку - Baranov, V.V.

  • Показ 1 - 7 результатів із 7
Уточнити результати
  1. 1
    Зображення обкладинки

    Charge state of the activator in Ti:sapphire crystals grown by HDC method за авторством Sidelnikova, N.S., Nizhankovskyi, S.V., Baranov, V.V.

    Опубліковано в: Functional Materials (2015)
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  2. 2
    Зображення обкладинки

    Influence of crystal growth conditions and carbothermal treatment on activator charge state in Ti:sapphire за авторством Nizhankovskiy, S.V., Sidelnikova, N.S., Baranov, V.V.

    Опубліковано в: Functional Materials (2018)
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  3. 3
    Зображення обкладинки

    Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа за авторством Baranov, V. V., Solovyev, Ya. A., Koshkarov, G. V.

    Опубліковано 2007
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  4. 4
    Зображення обкладинки

    Optimization of temperature conditions for the growth of large-size sapphire crystals by the method of horizontally directed crystallization за авторством Grin, L.A., Budnikov, A.T., Sidelnikova, N.S., Adonkin, G.T., Baranov, V.V.

    Опубліковано в: Functional Materials (2013)
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  5. 5
    Зображення обкладинки

    Методы и средства компьютерного проектирования в сети Интернет за авторством Baranov, V. V., Breczko, T., Najbuk, M. N., Nelaev, V. V., Stempitski, V. R.

    Опубліковано 2008
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  6. 6
    Зображення обкладинки

    Influence of melt convection on the dynamics and capture inclusions for growing oxide crystals by HDC за авторством Naydenov, S.V., Nizhankovskiy, S.V., Tan′ko, A.V., Grin′, L.A., Baranov, V.V.

    Опубліковано в: Functional Materials (2015)
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  7. 7
    Зображення обкладинки

    Статистический анализ и оптимизация параметров тех­нологии изготовления биполярного транзистора с изоли­рованным затвором... за авторством Baranov, V. V., Borovik, A. M., Lovshenko, I. Yu., Stempitsky, V. R., Trung, Tran Tuan, Shelibak, Ibrahim

    Опубліковано 2015
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:

Інструменти для пошуку: