Харвестер відкритої науки НАН України

Efficiency a-Si:H solar cell. Detailed theory

за авторством Kryuchenko, Yu.V., Sachenko, A.V., Bobyl, A.V., Kostylyov, V.P., Romanets, P.N., Sokolovskyi, I.O., Shkrebti, A.I., Terukov, E.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах...

за авторством Boltovets, N. S., Ivanov, V. N., Kovtonyuk, V. M., Rayevskaya, N. S., Belyaev, A. E., Bobyl, A. V., Konakova, R. V., Kudryk, Ya. Ya., Milenin, V. V., Novitskiy, C. V., Sheremet, V. N.
Опубліковано 2010

New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis

за авторством Arsentyev, I.N., Bobyl, A.V., Tarasov, I.S., Shishkov, M.V., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kamalov, A.B., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Markovskiy, E.P., Milenin, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes

за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Bobyl, A.V., Zorenko, A.V., Arsentiev, I.N., Kladko, V.P., Kovtonyuk, V.M., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V., Slipokurov, V.S., Slepova, A.S., Safryuk, N.V., Gudymenko, A.I., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis

за авторством Belyaev, A.E., Bobyl, A.V., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Konnikov, S.G., Kudryk, Ya.Ya., Markovskiy, E.P., Milenin, V.V., Rudenko, E.M., Tereschenko, G.F., Ulin, V.P., Ustinov, V.M., Tsirlin, G.E., Shpak, A.P.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)