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Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe von Izhnin, I.I., Bogoboyashchyy, V.V., Kurbanov, K.R., Mynbaev, K.D., Ryabikov, V.M.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)Volltext
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