Харвестер відкритої науки НАН України

Electron transport through nanocomposite SiO₂(Si) films containing Si nanocrystals

за авторством Bratus, O.L., Evtukh, A.A., Steblova, O.V., Prokopchuk, V.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)

Structural properties of nanocomposite SiO₂(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing

за авторством Bratus, O.L., Evtukh, A.A., Lytvyn, O.S., Voitovych, M.V., Yukhymchuk, V.О.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Charge characteristics of the MOS structures with oxide films containing Si nanocrystals

за авторством Begun, E.V., Bratus’, O.L., Evtukh, A.A., Kaganovich, E.B., Manoilov, E.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)