Харвестер відкритої науки НАН України

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm

за авторством Dobrovolskyi, Yu., Pidkamin, L., Brus, V., Kuzenko, V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe

за авторством Mostovyi, A. I., Brus, V. V., Maryanchuk, P. D., Ulyanitskii, K. S.
Опубліковано 2013

Comparison of optical properties of TiO₂ thin films prepared by reactive magnetron sputtering and electron-beam evaporation techniques

за авторством Brus, V.V., Kovalyuk, Z.D., Parfenyuk, O.A., Vakhnyak, N.D.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Photoelectrical analysis of n-TiO₂/p-CdTe heterojunction solar cells

за авторством Brus, V.V., Maryanchuk, P.D., Parfenyuk, O.A., Vakhnyak, N.D.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)

Influence of Cr doping on optical and photoluminescent properties of CdTe

за авторством Ilashchuk, М.I., Parfenyuk, O.A., Ulyanytskiy, K.S., Brus, V.V., Vakhnyak, N.D.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления...

за авторством Brus, V. V., Kovaluk, Z. D., Maryanchuk, P. D., Orletsky, I. G., Maystruk, E. V.
Опубліковано 2010

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, легированных мар­ган­цем

за авторством Maryanchuk, P. D., Dymko, L. N., Romanishyn, T. R., Kovalyuk, T. T., Brus, V. V., Solovan, M. N., Mostovoy, A. I.
Опубліковано 2014