Результати пошуку - Chucheva, G. V.
- Показ 1 - 5 результатів із 5
-
1
Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок... за авторством Afanasyev, M. S., Mityagin, A. Yu., Chucheva, G. V.
Опубліковано 2010Отримати повний текст
Стаття -
2
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов за авторством Gulyaev, Yu. V., Zhdan, A. G., Chucheva, G. V.
Опубліковано 2011Отримати повний текст
Стаття -
3
Модель алмазного транзистора за авторством Altukhov, A. A., Zyabluk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V.
Опубліковано 2011Отримати повний текст
Стаття -
4
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза за авторством Altukhov, A. A., Afanas’ev, M. S., Zyabliuk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V.
Опубліковано 2011Отримати повний текст
Стаття -
5
Технология создания легированных бором слоев на алмазе за авторством Zyablyuk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V., Duhnovskii, M. P., Khmel’nitskii, R. A.
Опубліковано 2012Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
diamond
алмаз
Schottky barriers
Si-MOSFETs
Si-МОП-транзисторы
boron doping
delay line
diamond film
electron-ion interaction
ferroelectric
field-effect diamond RF-transistor
fluent shutter model
gain of the transistor
hydrogenation
ion implantation
maximum power of transistor
microwave transistor
microwave transistors
neutral associates (ion electron)
nonvolatile memory
volt-ampere characteristic
СВЧ-транзистор
СВЧ-транзисторы
алмазная пленка
барьеры Шоттки
вольт-амперная характеристика
гидрогенизация
ионная имплантация
коэффициенты усиления транзистора
легирование бором