Харвестер відкритої науки НАН України

Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-S at temperatures 300 to 450 K

за авторством Ermakov, V.M., Kolomoets, V.V., Panasyuk, L.I., Nazarchuk, P.F., Yashchynskiy, L.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів...

за авторством Gorin, A.E., Gromova, G.V., Ermakov, V.M., Kogoutyuk, P.P., Kolomoets, V.V., Nasarchuk, P.F., Panasjuk, L.I., Fedosov, S.A.
Опубліковано 2022

Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals

за авторством Budzulyak, S.I., Ermakov, V.M., Kyjak, B.R., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Novoselets, M.K., Panasjuk, L.I., Sus', B.B., Venger, E.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon

за авторством Dotsenko, Yu.P., Ermakov, V.M., Gorin, A.E., Khivrych, V.I., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Panasjuk, L.I., Prokopenko, I.V., Sus', B.B., Venger, E.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)