Харвестер відкритої науки НАН України

Empirical formula for the dependence of the “optical gap” value on the electron concentration Ne within the range of 10¹⁷cm⁻³ ≤Ne ≤ 10²²cm⁻³

за авторством Fedorovich, О.А.
Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2013)

On the dense plasma decay within the electron concentration range of 10¹⁷ cm⁻³≤Ne≤10²² cm⁻³

за авторством Fedorovich, О.А., Voitenko, L.M.
Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2013)

The bias voltage and its influence on the etching rate of silicon

за авторством Fedorovich, О.А., Hladkovskiy, V.V., Polozov, B.P., Kruglenko, М.P.
Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2015)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления

за авторством Boltovets, M. S., Borisenko, A. G., Ivanov, V. N., Fedorovich, О. А., Krivutsa, V. A., Polozov, B. P.
Опубліковано 2009