Magnetic point contact in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As за авторством Figielski, T., Wosinski, T., Morawski, A., Pelya, O., Makosa, A., Dobrowolski, W., Wrobel, J., Sadowski, J., Jagielski, J., Ratajczak, J.

Отримати повний текст

Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes за авторством Belyaev, A.A., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Vitusevich, S.A., Milenin, V.V., Soloviev, E.A., Kravchenko, L.N., Figielski, T., Wosinski, T., Makosa, A.

Отримати повний текст

Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs за авторством Venger, E.F., Beliaev, A.A., Boltovets, N.S., Ermolovich, I.B., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Voitsikhovski, D.I., Figielski, T., Makosa, A.

Отримати повний текст