Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination за авторством Ju. G. Arapov, S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, M. V. Jakunin

Отримати повний текст

Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime за авторством Ju. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, S. G. Novokshonov, A. S. Klepikova, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, M. V. Jakunin

Отримати повний текст

The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide за авторством A. S. Klepikova, Ju. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, M. V. Jakunin, B. N. Zvonkov

Отримати повний текст