Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (60Co) n-Si crystals за авторством G. P. Gaidar

Отримати повний текст

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings за авторством G. P. Gaidar

Отримати повний текст

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb за авторством G. P. Gaidar

Отримати повний текст

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals за авторством G. P. Gaidar

Отримати повний текст

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type за авторством G. P. Gaidar

Отримати повний текст

Changes in Hall parameters after -irradiation (60So) of n-Ge за авторством G. P. Gaidar

Отримати повний текст

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals за авторством G. P. Gaidar, P. I. Baranskii

Отримати повний текст

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants за авторством P. I. Baranskii, G. P. Gaidar

Отримати повний текст

Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal за авторством G. P. Gaidar, P. I. Baranskii

Отримати повний текст

Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals за авторством G. P. Gaidar, P. I. Baranskii

Отримати повний текст

Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ph/α⊥ ph IN n-Ge and n-Si... за авторством G. P. Gaidar, P. I. Baranskii

Отримати повний текст

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity за авторством P. I. Baranskii, G. P. Gaidar

Отримати повний текст

Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge за авторством P. I. Baranskii, G. P. Gaidar

Отримати повний текст

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon за авторством G. P. Gaidar, A. P. Dolgolenko, P. G. Litovchenko

Отримати повний текст

Peculiarities of physical processes of formation of silicon surface-barrier structures за авторством G. P. Gaidar, S. V. Berdnichenko, V. G. Vorobyov, V. I. Kochkin, V. F. Lastovetskiy, P. G. Litovchenko

Отримати повний текст