Nanointegration and self-assembling in nanoelectronics (review)

за авторством G. S. Svechnikov, A. N. Morozovskaja
Опубліковано 2010

An intrinsic physical content of "single photon power" - (hv*dv)

за авторством E. A. Salkov, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2011

New method for estimating the refractive index of optical materials in spectrally selective elements

за авторством A. A. Manko, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2016

Peculiarities of phase transformations of SiC crystals and thin films with in-grown original defects

за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2014

Preparation and characterization of AI-VIIIVVI semiconductor films and the functional structures based on them: features and capabilities of the CVD method using dithiocarbamates

за авторством L. V. Zavjalova, G. S. Svechnikov, N. N. Roshchina, B. A. Snopok
Опубліковано 2018

3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC

за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2011

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence

за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2017

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells

за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2016

Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations

за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2016

External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals

за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2015

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films

за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2015

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects

за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, L. V. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2014

8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions

за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2013

Investigation of luminescent properties inherent to SrTiO3:Pr3+ luminophor with Al impurity

за авторством O. M. Marchylo, L. V. Zavyalova, Y. Nakanishi, H. Kominami, A. E. Belyaev, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2011

Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction

за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, G. S. Svechnikov, V. E. Rodionov, S. W. Lee
Опубліковано 2013

Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface

за авторством N. P. Tatyanenko, N. N. Roshchina, V. L. Gromashevskii, G. S. Svechnikov, L. V. Zavyalova, B. A. Snopok
Опубліковано 2018

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC

за авторством S. W. Lee, S. I. Vlaskina, V. I. Vlaskin, I. V. Zaharchenko, V. A. Gubanov, G. N. Mishinova, G. S. Svechnikov, V. E. Rodionov, S. A. Podlasov
Опубліковано 2010