Nanointegration and self-assembling in nanoelectronics (review) за авторством G. S. Svechnikov, A. N. Morozovskaja

Отримати повний текст

New method for estimating the refractive index of optical materials in spectrally selective elements за авторством A. A. Manko, G. S. Svechnikov

Отримати повний текст

An intrinsic physical content of "single photon power" - (hv*dv) за авторством E. A. Salkov, G. S. Svechnikov

Отримати повний текст

Peculiarities of phase transformations of SiC crystals and thin films with in-grown original defects за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov

Отримати повний текст

Preparation and characterization of AI-VIIIVVI semiconductor films and the functional structures based on them: features and capabilities of the CVD method using dithiocarbamates за авторством L. V. Zavjalova, G. S. Svechnikov, N. N. Roshchina, B. A. Snopok

Отримати повний текст

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov

Отримати повний текст

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov

Отримати повний текст

Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov

Отримати повний текст

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov

Отримати повний текст

External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov

Отримати повний текст

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, L. V. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov

Отримати повний текст

8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov

Отримати повний текст

3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov

Отримати повний текст

Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, G. S. Svechnikov, V. E. Rodionov, S. W. Lee

Отримати повний текст

Investigation of luminescent properties inherent to SrTiO3:Pr3+ luminophor with Al impurity за авторством O. M. Marchylo, L. V. Zavyalova, Y. Nakanishi, H. Kominami, A. E. Belyaev, G. S. Svechnikov

Отримати повний текст

Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface за авторством N. P. Tatyanenko, N. N. Roshchina, V. L. Gromashevskii, G. S. Svechnikov, L. V. Zavyalova, B. A. Snopok

Отримати повний текст

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC за авторством S. W. Lee, S. I. Vlaskina, V. I. Vlaskin, I. V. Zaharchenko, V. A. Gubanov, G. N. Mishinova, G. S. Svechnikov, V. E. Rodionov, S. A. Podlasov

Отримати повний текст