Харвестер відкритої науки НАН України

Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates

von Valakh, M.Ya., Gamov, D.V., Dzhagan, V.M., Lytvyn, O.S., Melnik, V.P., Romanjuk, B.M., Popov, V.G., Yukhymchuk, V.O.
Veröffentlicht in Functional Materials (2006)

Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers

von Oberemok, O.S., Litovchenko, V.G., Gamov, D.V., Popov, V.G., Melnik, V.P., Gudymenko, O.Yo., Nikirin, V.A., Khatsevich, І.M.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза

von Gamov, D. V., Gudymenko, O. I., Kladko, V. P., Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Oberemok, O. S., Popov, V. G., Polishchuk, Yu. O., Romaniuk, B. M., Chernenko, V. V., Nasekа, V. M.
Veröffentlicht 2018