Харвестер відкритої науки НАН України

Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates

за авторством Valakh, M.Ya., Gamov, D.V., Dzhagan, V.M., Lytvyn, O.S., Melnik, V.P., Romanjuk, B.M., Popov, V.G., Yukhymchuk, V.O.
Опубліковано в: Functional Materials (2006)

Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers

за авторством Oberemok, O.S., Litovchenko, V.G., Gamov, D.V., Popov, V.G., Melnik, V.P., Gudymenko, O.Yo., Nikirin, V.A., Khatsevich, І.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза

за авторством Gamov, D. V., Gudymenko, O. I., Kladko, V. P., Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Oberemok, O. S., Popov, V. G., Polishchuk, Yu. O., Romaniuk, B. M., Chernenko, V. V., Nasekа, V. M.
Опубліковано 2018