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Харвестер відкритої науки НАН України
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Gentsar, P.A.
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Radiation-stimulated relaxation of internal mechanical straines in homoepitaxial GaP films
von
Gentsar, P.A.
,
Kudryavtsev, A.A.
Veröffentlicht in
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
(2004)
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2
Electron properties of semiconductor surface studied by the electroreflectance spectroscopy method
von
Gentsar, P.A.
,
Vlasenko, A.I.
,
Kudryavtsev, A.A.
Veröffentlicht in
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
(2005)
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Effects of interband phototunneling and filling the bands in electroreflectance spectra of germanium
von
Gentsar, P.A.
,
Matveeva, L.A.
,
Kudryavtsev, A.A.
,
Venger, E.F.
Veröffentlicht in
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
(2003)
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