Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb за авторством V. V. Tetyorkin, A. I. Tkachuk, I. G. Lutsyshyn

Отримати повний текст

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb за авторством V. V. Tetyorkin, A. I. Tkachuk, I. G. Lutsyshyn

Отримати повний текст

Model of smoothing roughness on GaAs wafer surface by using nonabrasive chemical-and-mechanical polishing за авторством A. V. Fomin, G. A. Pashchenko, Yu. Kravetskyi, I. G. Lutsyshyn

Отримати повний текст