Результати пошуку - Iskender-zade, Z. A.
- Показ 1 - 2 результатів із 2
-
1
-
2
Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si за авторством Iskender-zade, Z. A., Akhundov, M. R., Jafarova, E. A., Alikhanova, Sh. A.
Опубліковано 2004Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
Hall sensors
MOS structure
active elements
deep traps
delay time
indirect laser heating
integrated circuits
memory element
polycrystalline silicon
recrystallization
single-crystal layers
switching
threshold voltage
МОП-структура
активные элементы
время задержки
глубокие ловушки
датчики Холла
косвенный лазерный нагрев
микросхемы
монокристаллические слои
переключение
поликристаллический кремний
пороговое напряжение
рекристаллизация
элемент памяти