Харвестер відкритої науки НАН України

The structure of glassy HgS–GeS₂

за авторством Halyan, V.V., Davydyuk, H.Ye., Parasyuk, O.V., Kevshyn, A.H.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system

за авторством Halyan, V.V., Shevchuk, M.V., Davydyuk, G.Ye., Voronyuk, S.V., Kevshyn, A.H., Bulatetsky, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)

Випромінювання у ближньому та середньому інфрачервоному діапазоні стекол Ga2S3–GeS2–Sb2S3: Er, Nd

за авторством Halyan, V.V., Kevshyn, A.H., Ivashchenko, І.А., Yatsyniuk, T.K., Tataryn, B.A., Skoryk, M.A., Lebed, O.О., Yukhymchuk, V.O.
Опубліковано 2025