Харвестер відкритої науки НАН України

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes

за авторством Borzakovskyj, A., Gontaruk, O., Kochkin, V., Litovchenko, P., Opilat, V., Petrenko, I., Tartachnyk, V.
Опубліковано в: Functional Materials (2009)

Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon

за авторством Gaidar, G.P., Berdnichenko, S.V., Vorobyov, V.G., Kochkin, V.I., Lastovetskiy, V.F., Litovchenko, P.G.
Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2017)

Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors

за авторством Gaidar, G.P., Berdnichenko, S.V., Vorobyov, V.G., Kochkin, V.I., Lastovetskiy, V.F., Litovchenko, P.G.
Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2016)