Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors за авторством Venger, Ye.F., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F.

Отримати повний текст

Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-S at temperatures 300 to 450 K за авторством Ermakov, V.M., Kolomoets, V.V., Panasyuk, L.I., Nazarchuk, P.F., Yashchynskiy, L.V.

Отримати повний текст

Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів... за авторством Gorin, A.E., Gromova, G.V., Ermakov, V.M., Kogoutyuk, P.P., Kolomoets, V.V., Nasarchuk, P.F., Panasjuk, L.I., Fedosov, S.A.

Отримати повний текст

Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals за авторством Budzulyak, S.I., Ermakov, V.M., Kyjak, B.R., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Novoselets, M.K., Panasjuk, L.I., Sus', B.B., Venger, E.F.

Отримати повний текст

Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon за авторством Dotsenko, Yu.P., Ermakov, V.M., Gorin, A.E., Khivrych, V.I., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Panasjuk, L.I., Prokopenko, I.V., Sus', B.B., Venger, E.F.

Отримати повний текст

Петро Іванович Баранський (до 90-рiччя вiд дня народження) за авторством Belyaev, O. Ye., Valakh, M. Ya., Venger, Ye. F., Klad’ko, V. P., Kochelap, V. O., Litovchenko, V. G., Lysenko, V. S., Syzov, F. F., Babych, V. M., Dmytruk, M. L., Kolomoets, V. V., Konakova, R. V., Korbutyak, D. V., Melnyk, V. P., Prokopenko, I. V., Romanyuk, B. M., Tomashyk, V. M., Vorobkalo, F. M.

Отримати повний текст