Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors von Venger, Ye.F., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F.

Volltext

Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-S at temperatures 300 to 450 K von Ermakov, V.M., Kolomoets, V.V., Panasyuk, L.I., Nazarchuk, P.F., Yashchynskiy, L.V.

Volltext

Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів... von Gorin, A.E., Gromova, G.V., Ermakov, V.M., Kogoutyuk, P.P., Kolomoets, V.V., Nasarchuk, P.F., Panasjuk, L.I., Fedosov, S.A.

Volltext

Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals von Budzulyak, S.I., Ermakov, V.M., Kyjak, B.R., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Novoselets, M.K., Panasjuk, L.I., Sus', B.B., Venger, E.F.

Volltext

Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon von Dotsenko, Yu.P., Ermakov, V.M., Gorin, A.E., Khivrych, V.I., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Panasjuk, L.I., Prokopenko, I.V., Sus', B.B., Venger, E.F.

Volltext

Петро Іванович Баранський (до 90-рiччя вiд дня народження) von Belyaev, O. Ye., Valakh, M. Ya., Venger, Ye. F., Klad’ko, V. P., Kochelap, V. O., Litovchenko, V. G., Lysenko, V. S., Syzov, F. F., Babych, V. M., Dmytruk, M. L., Kolomoets, V. V., Konakova, R. V., Korbutyak, D. V., Melnyk, V. P., Prokopenko, I. V., Romanyuk, B. M., Tomashyk, V. M., Vorobkalo, F. M.

Volltext