Харвестер відкритої науки НАН України

Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors

von Venger, Ye.F., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)

Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-S at temperatures 300 to 450 K

von Ermakov, V.M., Kolomoets, V.V., Panasyuk, L.I., Nazarchuk, P.F., Yashchynskiy, L.V.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів...

von Gorin, A.E., Gromova, G.V., Ermakov, V.M., Kogoutyuk, P.P., Kolomoets, V.V., Nasarchuk, P.F., Panasjuk, L.I., Fedosov, S.A.
Veröffentlicht 2022

Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals

von Budzulyak, S.I., Ermakov, V.M., Kyjak, B.R., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Novoselets, M.K., Panasjuk, L.I., Sus', B.B., Venger, E.F.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon

von Dotsenko, Yu.P., Ermakov, V.M., Gorin, A.E., Khivrych, V.I., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Panasjuk, L.I., Prokopenko, I.V., Sus', B.B., Venger, E.F.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Петро Іванович Баранський (до 90-рiччя вiд дня народження)

von Belyaev, O. Ye., Valakh, M. Ya., Venger, Ye. F., Klad’ko, V. P., Kochelap, V. O., Litovchenko, V. G., Lysenko, V. S., Syzov, F. F., Babych, V. M., Dmytruk, M. L., Kolomoets, V. V., Konakova, R. V., Korbutyak, D. V., Melnyk, V. P., Prokopenko, I. V., Romanyuk, B. M., Tomashyk, V. M., Vorobkalo, F. M.
Veröffentlicht 2019