Харвестер відкритої науки НАН України

Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors

за авторством Venger, Ye.F., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)

Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-S at temperatures 300 to 450 K

за авторством Ermakov, V.M., Kolomoets, V.V., Panasyuk, L.I., Nazarchuk, P.F., Yashchynskiy, L.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів...

за авторством Gorin, A.E., Gromova, G.V., Ermakov, V.M., Kogoutyuk, P.P., Kolomoets, V.V., Nasarchuk, P.F., Panasjuk, L.I., Fedosov, S.A.
Опубліковано 2022

Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals

за авторством Budzulyak, S.I., Ermakov, V.M., Kyjak, B.R., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Novoselets, M.K., Panasjuk, L.I., Sus', B.B., Venger, E.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon

за авторством Dotsenko, Yu.P., Ermakov, V.M., Gorin, A.E., Khivrych, V.I., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Panasjuk, L.I., Prokopenko, I.V., Sus', B.B., Venger, E.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Петро Іванович Баранський (до 90-рiччя вiд дня народження)

за авторством Belyaev, O. Ye., Valakh, M. Ya., Venger, Ye. F., Klad’ko, V. P., Kochelap, V. O., Litovchenko, V. G., Lysenko, V. S., Syzov, F. F., Babych, V. M., Dmytruk, M. L., Kolomoets, V. V., Konakova, R. V., Korbutyak, D. V., Melnyk, V. P., Prokopenko, I. V., Romanyuk, B. M., Tomashyk, V. M., Vorobkalo, F. M.
Опубліковано 2019