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    Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
    von Kudrynskyi, Z. R., Kovalyuk, Z. D.
    Veröffentlicht 2012
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  2. 2
    Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
    von V. M. Katerynchuk, Z. D. Kovalyuk
    Veröffentlicht 2011
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  3. 3
    Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
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  4. 4
    Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
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  5. 5
    Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
    von Z. D. Kovalyuk, V. Y. Duplavyy, O. M. Sydor
    Veröffentlicht 2012
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  6. 6
    Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
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  7. 7
    Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
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  8. 8
    Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
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  9. 9
    Photoemission spectra of indium selenide
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  10. 10
    Fine structure of NQR spectra in GaSe
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  11. 11
    Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
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  12. 12
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  13. 13
    Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
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    Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
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  15. 15
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  16. 16
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  19. 19
    Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
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  20. 20
    Comparison of optical properties of TiO₂ thin films prepared by reactive magnetron sputtering and electron-beam evaporation techniques
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