Харвестер відкритої науки НАН України

Microfluctuations of oxygen impurity concentration as a reason of accelerated oxygen diffusion in silicon

за авторством Neimash, V.B., Puzenko, O.O., Kraitchinskii, A.M., Krasko, M.M., Putselyk, S., Claeys, C., Simoen, E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)

Вплив γ-опромінення на початкову магнітну проникність аморфних і нанокристалічних сплавів на основі системи Fe−Si−B...

за авторством Povarchuk, V.Yu., Nosenko, V.K., Kraitchinskii, A.M., Neimash, V.B., Kras’ko, M.M., Maslov, V.V.
Опубліковано 2012

Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні

за авторством Kraitchinskii, A.M., Kras’ko, M.M., Kolosiuk, A.G., Petrunya , R.V., Povarchuk, V.Yu., Voitovych, V.V., Neimash, V.B., Makara, V.A., Rudenko, R.M.
Опубліковано 2022